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FIB聚焦离子束项目

工作原理:在高真空环境下,受强电场牵引的金属离子原(通常为镓离子)在经过电磁场筛选和静电透镜聚焦后,可以形成高能量高分辨率的聚焦的离子束。聚焦离子束照射芯片样品表面时,一方面高动能的物理碰撞可以用来切割样品,另一方面被照射的样品表面会激发射出二次电子和二次离子,通过专用的探测器收集侦测之后,可以获得表面局部特征的影像,从而可以用来成像。离子束的高能量还可以分解有机金属蒸汽和气相绝缘材料,从而可以做微小区域的金属导体(通常为铂和钨)和绝缘体(通常为氧化物)的沉积。辅以腐蚀性气体,还可以用来做加速强化刻蚀和有选择地材料去除。


中衡检测实验室具有多种型号的聚集焦离子束系统,包含单束流(只有离子束)和双束流(离子束和电子束)系统,可以对应客户从成熟制程到先进制程的应用要求,丰富了客户的选择,降低客户成本,减少客户等待时间。中衡检测更有自建聚焦离子束机台技术服务团队,成员具有十多年的应用经验,保证了机台的在线率和使用效率。


客户应用上,以下列几种为主:

芯片线路修补
采用FIB对芯片内部制程电路进行物理修补,可以快速实现芯片设计者对芯片电路的改进设计想法及设计方案的物理验证,节约了在芯片制造厂重新
流片的巨额费用和漫长等待时间。这是芯片设计公司采用多的服务。
Cross-Section截面分析
采用FIB的离子束的高精度定点切割功能,可以在芯片特定的标记位置做纵向截面切割 ,以便后续 截面的观测和材料分析
从而可以尝试了解造成缺陷的根源(制程缺陷、污染物………)。
Probing Pad制作
利用FIB的离子束金属导体和绝缘体非金属氧化物的气相沉积功能,制作电性测试点(Probing Pad),以便后续采用探针台或者电子束做芯片
内部的局部器件结构电参数量测。
TEM样品制作
通过FIB的精密物理切割功能,可以制件出传统研磨切割方式无法制作的厚度达到几微米的样品切片,以满足TEM(穿透式电子显微镜)的观测要求。

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